时间：2007-6-30来源：赛迪网 页面功能 【字体：大 中 小】【我来说两句】【查看对此快讯的评论】 近日，瑞萨科技（Renesas Technology Corp.）宣布，开发出一种可在32纳米及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC（系统级芯片）的片上SRAM中。 新开发的技术采用SOI（绝缘硅）技术，可独立控制基体电位，也就是构成SRAM的晶体管的三种衬底部分，从而显著扩展SRAM的运行容限。 对采用这一技术的65纳米 CMOS工艺的2Mb SRAM实验制造和评估证实，与没有使用该技术的器件相比，工作下限电压可提高大约100mV。此外，读取容限——SRAM运行容限指标——可改善大约16%，写入容限的改善大约为20%，同时晶体管的电气特性变化可有大约19%的下降。 SNM可随工艺的优化而下降。不过，在32纳米和22纳米工艺仿真方面，已证实与没有采用这一技术的器件相比，32 纳米 SNM大约改善了27%，22纳米大约为49%，这相当于实现了等于65纳米工艺水平的SNM。因此可以说，这一技术履行了实现32纳米及以上工艺SRAM的承诺。 瑞萨已经在2007年6月12日于京都举行的2007超大规模集成电路技术专题研讨会（2007 Symposium on VLSI Technology）上宣布了这些结果。
