在科技的海洋中，摩尔定律的帆船正驶向新的航线。3nm芯片，这艘巨轮，正由全球半导体领域的先锋们推进前行。在这个过程中，一位复旦大学微电子学院的教授——周鹏，他就像一位指引智慧之光的人物，在3nm芯片关键技术上取得了突破性的成果。
他的团队成功验证了双层沟道厚度分别为0.6/1.2nm的围栅多桥沟道晶体管，这是一种新型晶体管技术，也称为GAA（Gate-All-Around）晶体管。这种晶体管相比传统FinFET有着更好的栅控能力和漏电控制。这意味着GAA晶体管能够让摩尔定律在5nm以下的高精度工艺节点上更好地延续。
数据显示，周鹏教授团队设计并制造出的超薄围栅双桥沟道晶体管的驱动电流，与普通MoS2晶体管相比实现了400%的大幅提升，而且漏电流降低了两个数量级。这是对当今行业的一次重要挑战，是对未来可持续发展的一大贡献。
此外，还有其他方法可以提高芯片性能，比如使用新的材料取代硅。目前，我国已经掌握领先全球的碳基晶圆生产技术，这无疑是一个令人振奋的事实。
这些成果不仅展示了我国在半导 体领域研发能力和创新精神，也表明国产芯片未来可期。在这一点上，我们可以期待更多关于国产手机排行榜2023性价比高手机类型信息，不仅限于硬件规格，更包括软件优化、用户界面设计等方面，以确保消费者得到最全面的满意服务。
