三星公司对其高性能，低延迟的非易失性存储产品Z-NAND进行了一些新的讨论 。 Z-NAND旨在与英特尔用于构建Optane SSD和非易失性DIMM的3D Xpoint内存竞争。
根据三星的说法，Z-NAND是3D V-NAND闪存的单级单元的实施名称，几乎支持每一种固态存储产品。各公司已基本放弃制造SLC固态硬盘，支持每千兆字节多级单元(或每单元两位)，单元，甚至四级单元的NAND SSD，后者具有更高密度和更低成本，但某些客户仍然需要每个单元提供高性能和耐用性。
这种需求是 英特尔 引入3D Xpoint内存并开始为数据中心提供Optane SSD的部分原因。像Aerospike这样的公司仍然购买一些最新的SLC固态硬盘作为内存 数据库 应用程序的缓存驱动器，但这些驱动器的供应最终开始减少，并为替代产品打开了大门。需要高性能和大数据空间的应用程序的增长显然促使三星再次开始为数据中心制作SLC NAND。
除了SLC的实施，三星表示其工程师致力于降低Z-NAND的编程时间，以帮助实现这些SSD的延迟目标。 Z-NAND驱动器在983 ZET的情况下也使用大型DRAM缓冲器，容量高达1.5 GB，这进一步有助于提高性能。
特别提醒：本网内容转载自其他媒体，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。
