随着半导体行业的快速发展，芯片封装工艺流程也在不断地推陈出新，以适应市场对更小、更快、更节能产品的需求。从传统的通过封装到现在先进的3D封装，我们可以看到微电子封装技术在各个方面都取得了巨大的进步。
传统封装至薄膜介质
早期微电子设备采用的是通过封装方式，即将芯片直接插入到主板上进行连接。这一方法简单易行，但由于信号线路长且延迟大，因此限制了系统速度和效率。在此基础上，引入了薄膜介质（如PCB），为电路提供了一种更加灵活、高密度布局和信号传输能力增强的手段。然而，由于其尺寸限制，使得未来的集成度提升难以实现。
封层压印与铜箔制造
为了提高集成度和减少成本，出现了新的工艺——透明胶带（或称玻璃基胶带）上的金属化过程。这种工艺首先涂覆金属粉末，然后用高温下固化形成 薄膜，这些薄膜可以进一步用于制备电路图案，从而降低生产成本并提高设计复杂性的可能性。此外，铜箔制造技术则是精确控制厚度和纯度的关键一步，为后续加工提供必要条件。
晶体管与晶圆切割
晶体管作为现代电子设备不可或缺的一部分，其生产涉及到复杂多样的化学反应，如蒸镀、光刻等，而晶圆切割则是将这些单个晶体管分离出来并转移到不同的包裝中去进行接合。一旦完成这些步骤，就能够将这些基本单元组合起来构建出各种功能性强大且性能卓越的微型电路。
封测测试环节
在芯片被完整地安装在模块或者IC包中之后，还需要进行一系列严格测试以确保其工作正常无误。这包括但不限于功能测试、环境测试以及可靠性评估等。对于那些要求极高性能或者特殊应用场景的小型化器件来说，这些测试尤为重要，因为它们可能会面临极端温度变化、高湿环境甚至放射性辐射等挑战。
先进封装技术：Wafer Level Packaging (WLP) & Flip Chip Bonding (FCB)
随着集成电路规模不断缩小，一些先进包容方案开始逐渐取代传统之选，比如Wafer Level Packaging（WLCP）与Flip Chip Bonding（FCB）。WLCP允许整个硅片上的所有器件一次性完成整个模块内部连接，而FCB则是将一个全面的接口阵列直接贴附于另一表面，并最终再次焊接至母板上，以实现最大程度上的空间利用率。
3D堆叠式芯片及其未来展望
当前最前沿的是三维堆叠式芯片，它不仅仅是在垂直方向增加栈层，而且还结合了不同类型材料来达到最佳效果，如使用MEMS或NEMS结构来扩展感应区域，或采用Graphene材料来提升速度。在这样的架构下，每个栈层之间可以独立管理数据流动，从而使得总体计算能力显著提升，同时功耗相较于同样处理能力的大尺寸解决方案有所减少，将成为未来的核心科技支撑点之一。但这同时也提出了新的工程挑战，比如热管理问题以及如何有效整合不同物理属性间隙的问题待解决。
